IGBT業(yè)者正積極搶進600伏特以下的低電壓應(yīng)用。全球經(jīng)濟不穩(wěn)定，加上主要應(yīng)用市場競爭日益激烈，使得IGBT產(chǎn)業(yè)近來成長趨緩。為開創(chuàng)成長新契機，IGBT業(yè)者遂致力研發(fā)適合低電壓應(yīng)用領(lǐng)域的新技術(shù)與產(chǎn)品方案，甚至朝向12寸晶圓制造發(fā)展。

    受到全球政府降低再生能源及運輸支出的影響，絕緣閘雙極電晶體（IGBT）元件及模組制造商紛紛陷入艱困處境。據(jù)Yole Developpement統(tǒng)計，大多IGBT制造商、封裝公司和相關(guān)的被動元件制造廠在2012年出現(xiàn)衰退（圖1），因而促使相關(guān)業(yè)者改變IGBT晶圓、封裝等生產(chǎn)策略，期將產(chǎn)業(yè)帶回先前快速的成長軌道上。

    拓展低電壓市場　IGBT廠生產(chǎn)策略轉(zhuǎn)變

    現(xiàn)階段，幾乎所有 IGBT制造商都在600伏特（V）以上相關(guān)電力電子應(yīng)用市場競爭，范圍由太陽能逆變器（Inverter）到馬達驅(qū)動器�，F(xiàn)有主要業(yè)者如位于德國的英飛凌（Infineon）、日本東京的三菱電機（Mitsubishi Electric），以及具備可提供阻擋高達3，300伏特電壓元件優(yōu)勢的富士電機（Fuji Electric）。這些業(yè)者同時也跨足1，700伏特以下中電壓應(yīng)用領(lǐng)域；此一市場，可謂業(yè)界競爭最激烈的應(yīng)用領(lǐng)域，因為幾乎所有電力電子元件造商，皆可提供1，700伏特以下應(yīng)用的IGBT元件。不過，若以營收計算，600～900伏特的產(chǎn)品才是市場產(chǎn)值最大的貢獻來源。

    隨著主流市場競爭日益嚴峻，有些公司開始想進入超越傳統(tǒng)范圍下緣的新領(lǐng)域，積極往200～600伏特低電壓區(qū)間移轉(zhuǎn)，以達到更大量的應(yīng)用，如白色家電產(chǎn)品和相機閃光燈。然而，超級接面高效能金屬氧化物半導體場效電晶體（Super Junction MOSFET）已應(yīng)用于此電壓區(qū)間，意味著IGBT產(chǎn)品要進入市場將有一些挑戰(zhàn)，且制造商也將面臨極大的價格競爭壓力。<