2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間：2009/8/18 10:43:58
摘要： 在紅外通信的1 310～1 550 nm波段，高靈敏度探測材料主要有Ge—APD和InGaAs／InP APD，兩者相比較，InGaAs／InP APD具有更高的量子效率和更低的暗電流噪聲。
In0.53Ga0.47As／InP APD采用在n+-InP襯底上依次匹配外延InP緩沖層、InGaAs吸收層、InGaAsP能隙漸變層、InP電荷層與InP頂層的結(jié)構(gòu)。
APD探測器的最大缺點(diǎn)是暗電流相對于信號增益較大，所以設(shè)計(jì)APD讀出電路的關(guān)鍵是放大輸出弱電流信號，限制噪聲信號，提高信噪比。選擇CTIA作為讀出單元，CTIA是采用運(yùn)算放大器作為積分器的運(yùn)放積分模式，比較其他的讀出電路，優(yōu)點(diǎn)是噪聲低、線性好、動態(tài)范圍大。
In0.53Ga0.47As／InP APD采用在n+-InP襯底上依次匹配外延InP緩沖層、InGaAs吸收層、InGaAsP能隙漸變層、InP電荷層與InP頂層的結(jié)構(gòu)。
APD探測器的最大缺點(diǎn)是暗電流相對于信號增益較大，所以設(shè)計(jì)APD讀出電路的關(guān)鍵是放大輸出弱電流信號，限制噪聲信號，提高信噪比。選擇CTIA作為讀出單元，CTIA是采用運(yùn)算放大器作為積分器的運(yùn)放積分模式，比較其他的讀出電路，優(yōu)點(diǎn)是噪聲低、線性好、動態(tài)范圍大。
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－－本文摘自C114中國通信網(wǎng)，已被閱讀2048次
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