時光飛逝，2006年轉(zhuǎn)眼已過半程。從2006年上半年的全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展來看正穩(wěn)健成長，相比于去年同期已好過不少。雖然增長率不是很高，但對一個具有2000多億美元的產(chǎn)業(yè)，哪怕只有5%的增長也超百億美元。半導(dǎo)體工業(yè)正在變革，競爭性超過從前。回顧半年歷程，有一些重要的事件將對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來產(chǎn)生重要影響。

　　■美國應(yīng)用材料公司顧問　莫大康

　　CSIA與WSC簽署合作備忘錄

　　正值世界杯期間，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(CSIA)也“踢出”關(guān)鍵性的一腳。6月15日是一個重要的日子，CSIA理事長俞忠鈺與世界半導(dǎo)體理事會(WSC)2006年輪值主席、美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)主席Brian Halla簽署合作備忘錄。備忘錄的簽署，標(biāo)志中國半導(dǎo)體行業(yè)與世界主要半導(dǎo)體生產(chǎn)國家與地區(qū)的合作交往翻開了新的一頁。

　　申請加入WSC，一方面將有利于中國半導(dǎo)體業(yè)與全球半導(dǎo)體業(yè)真正融為一體，包括數(shù)據(jù)統(tǒng)計、IP保護(hù)及國際間合作等。另一方面，開始在國際統(tǒng)一口徑下辦事，對中國半導(dǎo)體業(yè)要求更為嚴(yán)格及迫切。所以，中國半導(dǎo)體業(yè)必須以此為契機(jī)，努力跟蹤，尋找合適時機(jī)，爭取在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。

　　轉(zhuǎn)移加快兼并加劇

　　盡管業(yè)界一致認(rèn)為，全球半導(dǎo)體業(yè)將不會再有如2000年及2004年那樣大起大落的增長，代之較為溫和的小幅增長。但是半導(dǎo)體業(yè)的競爭性使“大者恒大”法則幾乎不會改變。

　　產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)移向附加值更高端發(fā)展是趨勢，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也必須遵循此法則。目前來看，后道封裝測試業(yè)已無疑義地向中國轉(zhuǎn)移。而對于芯片制造業(yè)，先進(jìn)國家有苗頭開始執(zhí)行“輕晶圓廠Fab-lite”策略。比較成功的是摩托羅拉的28個半導(dǎo)體廠，最終通過兼并、出售，只剩下9個。連2000年在中國天津耗資19億美元建成的新8英寸生產(chǎn)線，最終以2.6億美元的股權(quán)讓給中芯國際。但這9個廠都是佼佼者。

　　2005年成功轉(zhuǎn)移的還有LSIlogic，出售芯片制造廠變成fabless公司；Agilent出售芯片線成為測試儀供應(yīng)商。近期，其余的若干小廠間兼并也不乏見，如德國Xfab兼并馬來西亞的first silicon；日本Epson花費(fèi)8142萬美元從IBM手中買回在日本合資廠的股份等。

　　還有如今正引起全球關(guān)注的是英飛凌的內(nèi)存部門搖身一變，新公司“Qimonda”繼續(xù)闖蕩內(nèi)存市場；以及飛利浦決定分拆其半導(dǎo)體部于今年底上市等。

　　無論英飛凌或是飛利浦，一個共同點(diǎn)都在執(zhí)行“輕晶圓廠”策略，也即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在提升，連晶圓廠制造也逐漸退出代之以向芯片設(shè)計、IP貿(mào)易及第三方設(shè)計公司等轉(zhuǎn)移。

　　市場態(tài)勢仍不明朗

　　美國著名機(jī)構(gòu)WSTS(全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計)的春季預(yù)測表示，2006年全球半導(dǎo)體業(yè)增長為10.1%，達(dá)2500億美元，2007年和2008年將分別再增長11%及12.8%。

　　這個數(shù)據(jù)高于原先WSTS于2005年的秋季預(yù)測，那時預(yù)測2006年增長為8%。從整體上，半導(dǎo)體市場已經(jīng)看不到周期起伏，僅局部區(qū)域及產(chǎn)品組仍有周期性的形態(tài)。其中亞太地區(qū)增長最快，原因不僅是需求增長，而是依靠產(chǎn)能的轉(zhuǎn)移。近期另一家機(jī)構(gòu)Gartner表示因全球PC市場的上升而提升2006年半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)測，從原先的9.5%調(diào)高至10.6%。

　　iSuppli在6月28日對2006年全球半導(dǎo)體業(yè)又做了新的預(yù)測，從原先的7.4%提高到7.9%。

　　但是業(yè)界的聲音是不同的，另一家著名機(jī)構(gòu)SIA(半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會)已經(jīng)調(diào)整2006年全球半導(dǎo)體業(yè)的增長從11%下降至9%，并認(rèn)為2006年半導(dǎo)體業(yè)增長可能僅有4%，明確表示全球半導(dǎo)體業(yè)將趨緩。

　　另一家銀行投資分析機(jī)構(gòu)Handlebanken的分析師在解讀4月的WSTS報告后認(rèn)為，Intel處理器芯片從數(shù)量上下降21%及價格下降40%，預(yù)期Intel第二季度的業(yè)績肯定下降，銷售額將從2005年的340億美元調(diào)整至2006年的330億美元。而其老對手AMD也在所難免，相應(yīng)銷售額為2005年的34億美元及2006年的33億美元。所以于6月27日對全球半導(dǎo)體業(yè)又重新做修正，由原來的6%降低為5%。

　　全球量大面廣的芯片產(chǎn)品，主要有三類：CPU、存儲器包括閃存及FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)。目前來看，因Intel與AMD兩家打得不可開交，CPU市場有下降的趨勢。

　　全球存儲器業(yè)因MP3、手機(jī)及計算機(jī)中對存儲容量的需求上升，從數(shù)量上需求增加不少，但是降價的壓力也大，光第一季度NAND閃存的價格下降達(dá)30%。所以總體上全球存儲器業(yè)2005年總計為471.9億美元，而2006年可為492.5億美元，銷售額凈增長為4.4%。

　　無論如何，全球半導(dǎo)體業(yè)與2005年初因庫存增大而一片下降的態(tài)勢相比，2006年上半年的態(tài)勢是不錯的，最根本的原因在于兩大終端產(chǎn)品計算機(jī)及手機(jī)的需求增長。據(jù)IDC最新資料，2006年P(guān)C的增長已由3月時的預(yù)測10.5%調(diào)高至10.8%，而手機(jī)的需求增長可達(dá)18%。另外，一個很顯見的因素是2006年全球半導(dǎo)體固定資產(chǎn)的投入達(dá)513億美元，相比2005年增加12%，其主要增加因素來自日本的芯片制造商及DRAM業(yè)。

　　然而，也有負(fù)面的觀點(diǎn)，如摩根大通首席半導(dǎo)體分析師夏鮑文擔(dān)心IC庫存問題會在下半年爆發(fā)，并對PC的庫存甚為擔(dān)憂。再如全球在第二季度時，全球fabless廠的庫存已達(dá)5年來的新高，預(yù)測下半年全球半導(dǎo)體的需求將不如從前，可能面臨向下調(diào)的壓力。

　　對于全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢有不同的看法是正常的。不過如今半導(dǎo)體業(yè)已今非昔比，那種強(qiáng)勁增長的態(tài)勢已不再重現(xiàn)。半導(dǎo)體業(yè)趨向更加成熟，相對會受各種外界干擾的因素變化機(jī)會增大。另外，最近全球芯片業(yè)的老大Intel與AMD打得不可開交，似乎未見勝績。相反，傳言中擬出售通訊芯片部門及裁員等已得到證實(shí)，會給全球半導(dǎo)體業(yè)帶來巨大的不利影響，尤其是半導(dǎo)體指數(shù)。

　　存儲器還是亮點(diǎn)

　　iSuppli的著名分析師Nam Hyung Kim于最近指出，全球NAND市場已結(jié)束下降趨勢。

　　自進(jìn)入2006年以來，DRAM市場之所以能夠穩(wěn)健發(fā)展，不再像過去那樣出現(xiàn)大起大落，NAND Flash可謂功不可沒。今年第一季度以來，盡管全球NAND　Flash售價出現(xiàn)大幅下滑，達(dá)30%，足以與2005年一整年的跌幅相抗衡。但是即便如此，對于眾多DRAM廠而言還是不畏艱難，持續(xù)將DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)入NAND Flash。

　　DRAM廠之所以如此義無反顧，在于NAND Flash的利潤豐厚，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM。因此到目前為止，還未見有轉(zhuǎn)入NAND Flash產(chǎn)能的DRAM廠，愿意再將產(chǎn)能轉(zhuǎn)回標(biāo)準(zhǔn)型DRAM。在此情況下，DRAM產(chǎn)能的增加絕大多數(shù)來自于工藝技術(shù)的改進(jìn)，以及新增投片的12英寸產(chǎn)能，導(dǎo)致今年半導(dǎo)體業(yè)總投資中，DRAM業(yè)仍是主角。

　　從NAND　Flash需求來判斷，經(jīng)過近一個季度以來的跌價，到了3月底左右，消費(fèi)者已漸因整體NAND Flash平均銷售單價大跌而開始進(jìn)一步刺激需求，NAND　Flash報價已達(dá)谷底。據(jù)傳近期三星電子及海力士將上調(diào)NAND Flash售價。

　　Gartner預(yù)測全球移動多媒體播放器市場2006年達(dá)1.87億臺，而2005年為1.34億臺，其中2005年中使用NAND型flash達(dá)80%。預(yù)計今年第四季度，蘋果公司將再次推出容量達(dá)10Gb-12Gb的高端NAND型iPod。Gartner認(rèn)為iPod MP3的市場對于全球NAND型Flash市場的影響不可低估。

　　NAND型flash存儲容量自2002起每年增長2倍，2006年第一季度因季節(jié)性原因呈過量模式，而第二季度變得過緊。2006年預(yù)計總計有1%-2%的過量。2006年存儲器生產(chǎn)量為641031TB(1TB=1024Gb)，比2005年上升198%，而2006年的需求為636572TB，比2005年上升194%。NAND閃存市場中MP3占37%，USB占17%，手機(jī)占14%，其他為5%。

　　DRAM市場正經(jīng)歷每2年的周期循環(huán)。由目前情況看來，多數(shù)DRAM廠旗下的8英寸廠因無法繼續(xù)升級至下一代工藝技術(shù)，即將陸續(xù)被淘汰，業(yè)界預(yù)測從性價比角度考慮，2005年的12英寸DRAM硅片已超過8英寸。但是，由于新增12英寸廠的產(chǎn)能相對仍較小，所以當(dāng)產(chǎn)業(yè)在逐漸失去8英寸廠所生產(chǎn)的DRAM產(chǎn)能的情況下，2006年即便有不少新的12英寸產(chǎn)能開出，恐怕還是無可避免地會陷入“供不應(yīng)求”狀態(tài)。所以預(yù)計全年DRAM的價格不會持續(xù)走軟。

　　另一個很重要因素是DRAM產(chǎn)業(yè)已確定由原本的DDR規(guī)格轉(zhuǎn)入DDRII。自2006年第一季度以來，由于市場上DDRII售價明顯高過DDR，每顆DDRII產(chǎn)品毛利較DDR要高出30%～40%，導(dǎo)致DRAM廠全力沖刺DDIIR產(chǎn)能，相對也造成DDR產(chǎn)出量的減少，估計全球第二季度及第一季度其DDR產(chǎn)出量減少達(dá)50%以上。

　　但是由于大多數(shù)新興市場對于PC的規(guī)格需求主要集中在便宜的低檔產(chǎn)品，所以DDR架構(gòu)PC仍是主流。在此情況下，市場對DDR產(chǎn)品需求實(shí)際上并未大幅下降，然而DRAM廠供給量卻已大幅削減，造成DDR在現(xiàn)貨市場價格明顯拉高，256Mb DRAM報價達(dá)2.4美元～2.5美元，為2006年以來最高價位。

　　未來NAND移動閃存卡最大的潛在市場在于手機(jī)應(yīng)用，最近開始將NAND用作外部存儲解決方案。iSuppli預(yù)測，2006年手機(jī)中應(yīng)用將超過數(shù)碼相機(jī)成為移動閃存卡的主要市場。據(jù)預(yù)測，2005年手機(jī)存儲卡的平均容量為112M，到2010年將提高到1.6G，相當(dāng)每年容量增加70%，2005年用于手機(jī)的可移動存儲卡增長160%。

　　45納米生產(chǎn)提上日程

　　據(jù)英特爾公司報道，第一個采用65納米制造工藝的芯片工廠在美國俄勒岡州的波特蘭，2005年已開始了制造芯片的運(yùn)作。第二個工廠在亞利桑那州的Chandler，今年早些時候開始運(yùn)作。6月23日英特爾第三個65納米芯片工廠開始投產(chǎn)，愛爾蘭工廠的成本效益最高。

　　英特爾總裁奧特里尼表示，目前英特爾在三個工廠中已采用最先進(jìn)的65納米制造工藝技術(shù)生產(chǎn)大量芯片。在英特爾公司向全球計算機(jī)和服務(wù)器提供的微處理器中，65納米制造工藝生產(chǎn)的微處理器已經(jīng)超過了一半。公司還計劃在2007年底之前推出更先進(jìn)的45納米制造工藝芯片。

　　另外，臺積電的副總裁Jack Sun表示，公司最快將在2007年第三季度開始采用45納米的生產(chǎn)工藝進(jìn)行批量生產(chǎn)。此外市場消息指出，臺灣聯(lián)電目前也在致力于發(fā)展45納米的生產(chǎn)工藝。Sun指出，臺積電已經(jīng)成功研發(fā)了45納米的系統(tǒng)芯片開發(fā)平臺，并正努力讓公司成為頭三家成功地采用45納米生產(chǎn)工藝的廠商之一。而目前IBM公司是唯一一家突破這一里程碑的廠商。公司此前宣稱已經(jīng)成功地開發(fā)了29納米的生產(chǎn)工藝。

　　臺積電近來在發(fā)展自己的先進(jìn)生產(chǎn)工藝上表現(xiàn)得十分努力，公司和ASML公司合作開發(fā)的浸入式光刻技術(shù)在今后也許將成為主流技術(shù)。臺積電預(yù)期在2009年時可能會采用32納米的生產(chǎn)工藝進(jìn)行批量生產(chǎn)。