三菱電機將攜同最新推出的第四代DIP-IPM（雙列直插型智能功率模塊）、第五代智能功率模塊L1系列IPM以及多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領域的客戶提供與其相應的應用解決方案。

    三菱電機常務執(zhí)行董事、半導體事業(yè)本部總經(jīng)理長山安治先生此次特別從日本趕來參加展會，他指出：“日前中國市場發(fā)展迅猛，作為全世界最大的電子市場，三菱電機十分重視在中國的發(fā)展。我們將致力引入領先的技術及適合不同領域的優(yōu)秀解決方案，協(xié)助客戶面對越來越激烈的市場競爭。”

    三菱電機作為業(yè)界的先驅，早在1997年就開發(fā)了用于白色家電和工業(yè)用電機的變頻驅動的DIP-IPM。2004年以來，DIP-IPM模塊的開發(fā)致力于小型化、低熱阻化以及完全無鉛化，并已開發(fā)出第四代DIP-IPM產品。如今，為提高DIP-IPM的性價比，增加了新開發(fā)的搭載RC-IGBT硅片的額定電流為3A的DIP-IPM，從而使第四代DIP-IPM系列產品更加豐富，為白色家電等變頻基板的小型化做出貢獻。

    三菱電機日前新推出第五代L1系列智能功率模塊，其將硅片溫度傳感器設置在IGBT硅片正中央處，實現(xiàn)了更加精確迅速的硅片溫度檢測。該系列IPM采用全柵型CSTBTTM硅片技術，具有比L系列IPM更低的損耗以及更加優(yōu)化的VCE與Eoff折衷曲線。L1系列智能功率模塊主端子有針腳型和螺絲型兩種形式，同樣電流電壓等級的L1系列IPM與L系列IPM的封裝完全兼容。此外，L1系列IPM還首次開發(fā)了25A/1200V和50A/600V的小封裝產品以滿足客戶節(jié)約成本的需求。

    三菱電機采用最新開發(fā)的載流子存儲式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實現(xiàn)了第五代IGBT模塊的產品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長等優(yōu)點。分別針對不同應用開發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系列。

    三菱電機在展會期間，還設有現(xiàn)場滾動講座講解各技術方案及其應用。